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1.CP (Chip Probing 芯片/晶片+测试/探测): 顾名思义，测试芯片的电性参数。测试的是晶圆中的每一个芯片(die)，目的是剔掉次品以减少后续封装的成本
2.CVD (chemical vapor deposition 化学气相沉积): 利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。具体的有如MOCVD（金属氧化物～）和PECVD（等离子体增强～）
3.Datasheet (规格/说明书): 总结产品、机器、部件（例如电子部件）、材料、子系统（例如电源）的性能和其他特性的文件
4.Die (芯片): 单个完整的集成电路器件
5.Eg (band gap 禁带宽度): 也叫“能带”，是固体中没有电子状态的能级范围，是决定固体材料导电特性的关键参数。具有大禁带宽度的属于绝缘体；小禁带宽度的属于半导体；没有或具有很小禁带宽度的为导体
6.FT (Final Test 出厂测试): 对封装好的芯片进行测试。通常测试项比CP要少得多，因为之前已经测过了
7.RDS(on) 导通电阻: 也简称“RDS”或者“Ron”，器件非常重要的一种特性。定义：晶体管导通后两端电压与导通电流之比。其值越大意味着电流/功率损耗越大，因此一般越小越好。
