I小蘑菇I
不可以。参数不一样，因为电压支持不同，所以粗细规格也不同。
40N150是40A/1500V。而40N120是40A/1200V。
利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，仅靠半导体中的多数载流子导电，FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。
扩展资料：
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。
因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。
参考资料来源：百度百科-场效应管
猪宝0517
FGL40N120ANDTU 是Fairchild的IGBT 40A 1200V 不是场效应管能替代的. 我这边FGL40N120 在清货哦~！场效应晶体管（英语：field-effect transistor，缩写：FET）是一种通过电场效应控制电流的电子元件。它依靠电场去控制导电沟道形状，因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性。场效应晶体管有时被称为单极性晶体管，以它的单载流子型作用对比双极性晶体管（bipolar junction transistors，缩写：BJT）。尽管由于半导体材料的限制，以及曾经双极性晶体管比场效应晶体管容易制造，场效应晶体管比双极性晶体管要晚造出，但场效应晶体管的概念却比双极性晶体管早。
放牧死亡
电感旁边那玩意？一般称为MOS管，属于场效应管的一种。
场效应晶体管（英语：field-effect transistor，缩写：FET）
是一种通过电场效应控制电流的电子元件。
它依靠电场去控制导电沟道形状，因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性。场效应晶体管有时被称为单极性晶体管，以它的单载流子型作用对比双极性晶体管。（来源于网络）
如有不懂之处请追问，有帮助请采纳，谢谢.
优质英语培训问答知识库
