国际电气工程师协会会士

IEEE fellow要比中国工程院院士牛，国内大学的IEEE fellow也就几十个吧。

九三学社社员、中国科学院院士、电子科技大学教授陈星弼因病医治无效，于2019年12月4日17时10分在四川成都逝世，享年89岁。 陈星弼1931年1月28日出生于上海，祖籍浙江浦江，1947年至1952年就读于同济大学电机系，先后在厦门大学、东南大学和成都电讯工程学院（现电子科技大学）工作。1999年当选为中国科学院院士，2019年当选为国际电气与电子工程师协会终身会士（IEEE Life Fellow）。 陈星弼是我国功率半导体领域的领路人和集大成者。他发表超过200篇学术论文，获得中美等国专利授权40余项。他是国际上首个提出超结耐压层理论的科学家，他的超结发明专利打破传统“硅极限”，被国际学术界誉为"高压功率器件新的里程碑"。该发明专利成功转让并实现产业化，目前超结器件全球年市场销售额超过10亿美元。 陈星弼曾获得诸多荣誉，包括国家发明奖及科技进步奖2项，省部级奖励13项。2015年获得IEEE ISPSD颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”，成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。2018年入选IEEE ISPSD首届名人堂，成为首位入选名人堂的华人科学家。

陈星弼（1931年1月28日-2019年12月4日），出生于上海，半导体器件及微电子学专家，中国科学院院士，电子科技大学教授、博士生导师。陈星弼从事半导体电力电子器件的理论与结构创新方面的研究，被誉为“中国功率器件领路人” 。

ieee的全称是instituteofelectricalandelectronicsengineers，电子电气工程师协会，他是一个国际性的电子技术与信息科学工程师的协会，是互联网纾上最大的专业技术组织之一（成员人数），拥有来自175个国家的36万会员(到2005年)，建会于1963年1月1日。总部在美国纽约市。

fellow则是ieee中等级最高的会员，相当于院士级别。

扩展资料：

IEEE国际电子元件会议作为一个论坛，在其中报告半导体、电子元件技术、设计、制造、物理与模型等领域中的技术突破。

IEDM将世界上工业界与学界的管理者、工程师和科学家聚在一起讨论纳米级CMOS晶体管技术、先进内存、显示、传感器、微机电系统元件、新颖量子与纳米级规模元件、粒子物理学现象、光电工程、功率与能量收集元件、高速元件、制程技术、元件模型化与模拟。

会议也涵盖硅、化合物、有机半导体与新兴材料系统元件的讨论和简报。除技术论文简报外，IEDM包含多个全体简报、小组会议、教程、短期课程与由工业界与学界专家所引导的邀请会谈。